映象新闻

　　在美国出口管制影响中芯国际增加产能的背景下，台积电、联电等芯片代工大厂不约而同地瞄准中国大陆庞大的内需市场，准备在大陆扩产以增加份额。

　　据台湾《经济日报》11月23日报道，全球晶圆代工产能紧缺在“美国制裁中芯”后进一步发酵，28nm成熟制程产能持续满载。为满足客户需求，台积电、三星和联电均启动大陆工厂28nm新产能布局。

　　对于相关消息，台积电发言人称，南京厂已按计划将12英寸月产能由1.5万片增加至2万片；联电则表示，规划扩充台南12英寸厂28/22nm产能，厦门联芯28nm产能吃紧后，预计明年中旬完成扩产。

　　台湾经济日报报道截图

　　近些年来，全球主要晶圆代工厂以加码先进制程为主，但新冠疫情带来的的居家办公、在线教育等需求，让采用成熟制程的电源管理芯片、显示面板驱动芯片等订单激增，也让这方面的产能持续趋紧。

　　雪上加霜的是，美国突然加强出口管制，让中芯国际正在扩产的14/28nm“受挫”，进一步加剧了全球产能紧张。

　　10天前（11月12日），中芯国际联席CEO赵海军在业绩说明会上透露，业界在建设工厂时，基本沿袭美国设备的选型。因此，美国加强出口管制对该公司8寸、12寸成熟工艺和先进工艺都将造成影响。

　　该公司联合CEO梁孟松表示，正积极与美国供应商积极沟通部分美国设备、原料的许可证。

　　在这种情况下，高通等厂商被传出想从中芯国际转单“避险”，但加价也未能找到后者的“替代产能”。

　　由于产能紧张、市场庞大，台积电、联电、三星纷纷开始动起扩产、涨价的念头。

　　根据中国半导体行业协会设计分会统计，2019年中国集成电路设计行业销售总值超过3000亿元。截至当年11月底，全国共有1780家设计企业，较去年同期增长4.8%。

　　而本次台积电扩产的南京厂，是该公司目前在台湾岛外唯一的12英寸晶圆厂。

　　台积电南京厂是其唯一在台湾岛外的12英寸晶圆厂  图片来源：台积电官网

　　2015年，在台积电16nm FinFET强效版制程量产当年，该公司宣布决定到南京建厂，从动土到进机仅用时14个月，被其称为“建厂最快、上线最快、环境最美的厂区”。

　　业界普遍认为，台积电在南京布局16nm产线，目的就是同中芯国际的14nm竞争。

　　根据台积电2019年财报，南京厂期内营收约为42亿元人民币，净利润约为3亿元人民币。

　　相比来看，中芯国际2019年营收为204.7亿元人民币，净利润为15.4亿元人民币。

　　值得一提的是，台积电南京厂扩产之际，该公司也在推进在美国建厂的进度。

　　今年5月15日，在美国政府宣布对华为新一轮制裁的当天，台积电宣布有意在美国亚利桑那州兴建一座12英寸先进晶圆厂，采用该公司的5nm制程技术生产半导体芯片，规划月产能为2万片晶圆。

　　而美国联邦政府及亚利桑那州政府的补助，是台积电去美国设厂的关键。

　　台媒报道截图

　　当地时间11月18日，亚利桑那州凤凰城（Phoenix）市议会通过台积电开发协议。

　　根据协议内容，凤凰城将由市政府资金拨款2.05亿美元，用于改善道路及水源等基础建设，但关键的美国联邦政府及亚利桑那州政府的补助金额则尚未披露任何消息。

　　11月11日，台积电董事会已批准，将在亚利桑那州设立资本额35亿美元的全资子公司，未来5年创造1900个全职工作机会，新厂2021年初动工，预计2024年开始生产。

　　部分设备业者预期，台积电美国5nm晶圆厂2024年量产后，除了为美国政府机构生产所需特殊应用芯片（ASIC），也能就近为苹果、英特尔、AMD、高通、英伟达等美国大客户生产晶圆。

　　根据台积电财报，2020年第三季度，该公司来自北美地区的营收占比为59%，来自中国市场的营收持续提升，为22%。

　　台积电财报截图

　　今年6月，台积电董事长刘德音在股东会上表示，近来国际大国间贸易关系紧张，为该公司带来业务上的诸多挑战。他们能做的就是持续找寻解决方案，应对新的国际形势。(文/吕栋 编辑/尹哲)

　　三星电子奋力赶超台积电 计划2022年量产3纳米芯片

据韩国媒体《Infostock Daily》11月18日引述消息人士报道，三星电子已决定在美国建立完全采用EUV（极紫外光）生产设备的LSI（Large－scale integrated circuit，大规模集成电路）工厂。

　　11月19日消息，据国外媒体报道，三星电子正在奋力赶超台积电，计划在2022年量产3纳米芯片。

据《Infostock Daily》消息，三星拟投资100亿美元，在美国德克萨斯州奥斯汀市建立一座12吋晶圆新厂——这是三星在美国的第二座生产基地，产能为70K。台湾联合新闻网文章引述业界解读称，三星在美国将扩大7nm以下，甚至更先进的3nm先进制程工艺的布局，意在紧追台积电在美国投资脚步。

　　韩媒称，三星这座预计全部采用EUV生产设备的新厂，将是三星在韩国以外第一个使用EUV生产的厂区。这样做的目的也是加快拉近与台积电差距。这座工厂启用后将生产非存储芯片，以及系统整合芯片（system LSI）。不过，韩国媒体的报道未提及三星将在奥斯汀设立的这座新工厂是否已经通过美国政府的审查或已进入最终阶段。

　　根据三星官方信息，今年5月，三星在韩国平泽启动建设5nm的EUV工厂，而华城厂区则已量产5nm。在韩国本土，三星共计有六大生产基地，在美国，此前仅有在德州设有12吋厂生产65nm乃至14nm制程工艺的产品。

　　三星电子高管Park Jae-hong最近在一次活动中表示，公司已定下目标，在2022年量产3纳米芯片。该高管透露，三星电子已在与主要合作方开发初步设计工具。

　　三星电子向其下一代芯片业务投入1160亿美元，其中包括为外部客户制造芯片。

　　三星电子领导人李在镕此前曾透露，该公司计划采用正在开发的最新3纳米全栅极(gate-all-around，简称GAA)工艺技术来制造尖端芯片，并提供给全球客户。

　　三星电子已开始大规模量产5nm芯片，并且正在研发4nm工艺。

　　在芯片代工业务领域，三星电子目前位列第二。排名第一的是台积电，去年市场占有率达52%。

　　关于台积电和三星电子之间的竞争，台积电创始人张忠谋曾表示，三星电子是很厉害的对手，目前台积电暂时占优势，但台积电跟三星的战争绝对还没结束，台积电还没有赢。

　　（来源：观察者网 TechWeb）